消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发

消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发-第1张图片

  近日,据业内人士透露 ,三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发,2026年12月进入量产转移阶段,2027年上半年启动生产线建设 ,有望2027年底实现首批量产 。(TheBell)

(文章来源:财联社)

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